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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=50A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=25V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =4mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con

ISC

无锡固电

Steckbare Anschlussklemmen auf Stiftleisten, Raster 5,08 mm

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LUMBERG

隆堡

Pluggable terminal blocks on pin headers, pitch 5.08 mm

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LUMBERG

隆堡

High Performance Silicon NPN Phototransistor in Side Look Package

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AVAGO

安华高

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 25 V, 4.0 m廓

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Fairchild

仙童半导体

更新时间:2026-1-4 23:01:01
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