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SGM2016AP

GaAs N-channel Dual-Gate MES FET

Description The SGM2016AM/AP is an N-channel dual-gate GaAs MES FET for UHF-band low-noise amplification. This FET is suitable for a wide range of applications including UHF TV tuners, cellular/cordless phone, and DBS IF amplifiers. Features • Low voltage operation • Low noise NF = 1.2dB (typ.

SonySony Semiconductor Solutions Group

索尼

N-Channel 20-V(D-S) MOSFET

General FEATURE ●TrenchFET Power MOSFET ●Lead free product is acquired ●Surface mount package APPLICATION ●Load Switch for Portable Devices ●DC/DC Converter

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SGM2016AP产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SGM2016AP

  • 制造商

    SONY

  • 制造商全称

    Sony Corporation

  • 功能描述

    GaAs N-channel Dual-Gate MES FET

更新时间:2025-8-16 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SONY/索尼
24+
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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SOT-143
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明嘉莱只做原装正品现货
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