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SGM2016AM

GaAs N-channel Dual-Gate MES FET

Description The SGM2016AM/AP is an N-channel dual-gate GaAs MES FET for UHF-band low-noise amplification. This FET is suitable for a wide range of applications including UHF TV tuners, cellular/cordless phone, and DBS IF amplifiers. Features • Low voltage operation • Low noise NF = 1.2dB (typ.

SonySony Corporation

索尼

N-Channel 20-V(D-S) MOSFET

General FEATURE ●TrenchFET Power MOSFET ●Lead free product is acquired ●Surface mount package APPLICATION ●Load Switch for Portable Devices ●DC/DC Converter

TUOFENG

拓锋半导体

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SGM2016AM产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SGM2016AM

  • 制造商

    SONY

  • 制造商全称

    Sony Corporation

  • 功能描述

    GaAs N-channel Dual-Gate MES FET

更新时间:2025-11-21 20:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SONY/索尼
25+
SOT143
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SONY/索尼原装特价SGM2016AM-T7即刻询购立享优惠#长期有货
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SONY/索尼
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