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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SGH10N60RUFDTU | 封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 16A 75W TO3P 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  |   |
10Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC10N60isahighvoltageandhighcurrentpowerMOSFET,designedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchinga | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 |  | | |
N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET 文件：2.17857 Mbytes Page：10 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | | |
N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET 文件：2.33382 Mbytes Page：11 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | | |
10A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET 文件：976.2 Kbytes Page：11 Pages | WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司 |  | | |
10Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET 文件：330.13 Kbytes Page：8 Pages | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | | |
SGH10N60RUFDTU产品属性
- 类型
描述
- 型号
SGH10N60RUFDTU
- 功能描述
IGBT 晶体管 Dis Short Circuit Rated IGBT
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
23+ |
- |
1224 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
NA/ |
900 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
FSC |
2020+ |
TO-3P-3 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-3P |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
FAIRCHILD |
1844+ |
TO-3P |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
三年内 |
1983 |
纳立只做原装正品13590203865 |
|||||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
173040 |
原装进口特价供应 QQ 1304306553 更多详细咨询 库存 |
|||
onsemi(安森美) |
21+ |
- |
3460 |
航宇科工半导体-央企合格优秀供方 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
03+ |
TO-3P |
1980 |
||||
Fairchild仙童 |
22+ |
TO-3P |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
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