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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SGH10N60RUFDTU | 封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 16A 75W TO3P 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 10N60 is a high voltage and high current power MOSFET, designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching a | UTC 友顺 | | ||
N-Channel 6 50V (D-S) Power MOSFET 文件：2.17857 Mbytes Page：10 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 文件：2.33382 Mbytes Page：11 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
10A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：976.2 Kbytes Page：11 Pages | WXDH 东海半导体 | | ||
10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：330.13 Kbytes Page：8 Pages | UTC 友顺 | |
SGH10N60RUFDTU产品属性
- 类型
描述
- 型号
SGH10N60RUFDTU
- 功能描述
IGBT 晶体管 Dis Short Circuit Rated IGBT
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
- |
1224 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
900 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
FAIRCHILD |
1844+ |
TO-3P |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
2023+ |
TO-3P |
8635 |
一级代理优势现货,全新正品直营店 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
03+ |
TO-3P |
1980 |
||||
24+ |
3000 |
自己现货 |
|||||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-3P |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
FSC |
18+ |
TO-247 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
|||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
|||||
FSC |
03+ |
TO-3P |
1980 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
SGH10N60RUFDTU芯片相关品牌
SGH10N60RUFDTU规格书下载地址
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