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SGF23N60UFDM1TU

封装/外壳:TO-3P-3 整包 包装:管件 描述:IGBT 600V 23A 75W TO3PF 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMI

安森美半导体

SGF23N60UFDM1TU产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SGF23N60UFDM1TU

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V/12A

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-27 23:00:00
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