型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

Ignition IGBT 20 A, 350 V, N.Channel D2PAK

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ONSEMI

安森美半导体

Ignition IGBT

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ONSEMI

安森美半导体

SGB8206ANSL3G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SGB8206ANSL3G

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 IGBT 20A, 350V, N-CH

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-16 10:14:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
TO263
39822
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
ON/安森美
21+
TO263
10000
原装现货假一罚十
24+
N/A
57000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
三年内
1983
只做原装正品
ON
16+
TO263
8000
原装现货请来电咨询
ON/安森美
24+
NA/
42983
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
ON/安森美
23+
TO263
50000
全新原装正品现货,支持订货
ON/LITTELFUSE
22+
TO-263
12500
原装正品支持实单
ON
24+
TO263
20000
全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!!
Littelfuse Inc.
22+
D2PAK
9000
原厂渠道,现货配单

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