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N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 80V,30A,RDS(ON)=30mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Lead-freeplating;RoHScompliant. RDS(ON)=38mW@VGS=4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CET-MOS

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 80V,30A,RDS(ON)=30mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Lead-freeplating;RoHScompliant. RDS(ON)=38mW@VGS=4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CET-MOS

POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola

CED30N08

文件:577.79 Kbytes Page:4 Pages

CETCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

文件:949.61 Kbytes Page:7 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
更新时间:2024-6-22 19:12:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FSC
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TO-220
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