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20A, 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

 DESCRIPTION The UTT20N04 uses UTC’s advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.  FEATURES * RDS(ON) ≤ 33 mΩ @ VGS=10V, ID=10A RDS(ON) ≤ 60 mΩ @

UTC

友顺

N-ChannelEnhancement Mode Power MOSFET

文件:1.06044 Mbytes Page:5 Pages

LEIDITECH

雷卯电子

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

文件:215.72 Kbytes Page:4 Pages

BWTECH

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.01535 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:521.34 Kbytes Page:6 Pages

YANGJIE

扬杰电子

更新时间:2025-12-31 18:17:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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SOP-8
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TO-252-L
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VBSEMI/台湾微碧
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TO220
60000
UTC/友顺
23+
TO252
11200
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