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SFT261晶体管资料

  • SFT261别名:SFT261三极管、SFT261晶体管、SFT261晶体三极管

  • SFT261生产厂家:DIT

  • SFT261制作材料:Ge-NPN

  • SFT261性质:射频/高频放大 (HF)_开关管 (S)_SYM

  • SFT261封装形式:直插封装

  • SFT261极限工作电压:24V

  • SFT261最大电流允许值

  • SFT261最大工作频率:>11MHZ

  • SFT261引脚数:3

  • SFT261最大耗散功率

  • SFT261放大倍数

  • SFT261图片代号:D-9

  • SFT261vtest:24

  • SFT261htest:11000100

  • SFT261atest:0

  • SFT261wtest:0

  • SFT261代换 SFT261用什么型号代替:ASY28,ASY29,ASY75,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Military DC-DC Converters 50 to 100W

Military DC-DC Converters 50 to 100W Features Inputs: 28Vdc per MIL-STD-704D/E 155Vdc per MIL-STD-1399A 270Vdc per MIL-STD-704D/E Single output: 2 – 48Vdc Up to 23W/in3 MIL-STD-810 environments Up to 90 efficiency Remote sense Current limit OVP a

VICOR

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VICOR

Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier

Description: The NTE261 (NPN) and NTE262 (PNP) are complementary silicon Darlington power transistors in a TO220 type package designed for general purpose amplifier and low–speed switching applications. Features: • High DC Current Gain: hFE = 2500 Typ @ IC = 4A • Collector–Emitter Su

NTE

TRISILTM

DESCRIPTION The SMTPBxx series has been designedto protect telecommunication equipment against lightning and transient induced by AC power lines. FEATURES BIDIRECTIONAL CROWBAR PROTECTION. BREAKDOWNVOLTAGE RANGE: From 62 V To 270 V. HOLDING CURRENT: IH= 150 mA min REPETITIVE PE

STMICROELECTRONICS

意法半导体

High Speed Differential Comparators

文件:271.15 Kbytes Page:10 Pages

NSC

国半

更新时间:2026-5-14 14:31:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NTE
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    联系人:刘冬英 公司电话:0755-83203002 手机:18138231376 QQ号:1546282226、微信号:18138231376 公司名称:深圳市光华微科技有限公司 公司地址:深圳市福田区振兴路华匀大厦1栋712室

    2019-5-6
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    描述 这种单片集成电路是一个完全独立的精密电压参考发生器,内部装饰为± 1%的准确度。需要较少比静态电流为2mA,这种装置可以提供10mA的过剩的总负载和线路引起的误差小于0.5%。另外本计画为电压精度,实现了内部修整温度系数的输出电压通常为10 ppm的/° C的因此,这些提法应用关键仪器和D很好的选择到一个转换器系统。该SG1503规定工作在整个军事环境温度范围-55 ° C至125 ° C,而在SG2503是专为-25 ° C至85 ° C和0℃的商业应用SG3503至70℃ 特征 ·输出电压调整到±1% ·输入电压范围

    2013-3-15