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SFT1427I

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 7A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 80V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 66mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control

ISC

无锡固电

HORIZONTAL DEFLECTION POWER TRANSISTOR

5 AMPERE POWER TRANSISTORS 1500 VOLTS 80 WATTS

MOSPEC

统懋

Silicon Diffused Power Transistor(GENERAL DESCRIPTION)

GENERAL DESCRIPTION Highvoltage,high-speed switching npn transistors in a plastic envelope with integrated efficiency diode,primarily for use in horizontal deflection circuites of colour television receivers

WINGS

永盛电子

1.2A Dual High-Speed MOSFET Drivers

GENERAL DESCRIPTION The TC1426/27/28 are a family of 1.2A dual high- speed drivers. CMOS fabrication is used for low power consumption and high efficiency. These devices are fabricated using an epitaxial layer to effectively short out the intrinsic parasitic transistor responsible for CMOS latch

MICROCHIP

微芯科技

1.2A DUAL HIGH-SPEED MOSFET DRIVERS

文件:81.03 Kbytes Page:6 Pages

TELCOM

1.2A DUAL HIGH-SPEED MOSFET DRIVERS

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TELCOM

更新时间:2026-5-21 13:52:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SSDI
1612+
TO-3
956
代理品牌
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2450+
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6540
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    优势渠道

    2023-1-29
  • SFR9230BTM

    SFR9230BTM

    2021-7-23
  • SFSD016GN3PM1TO-I-LF-010-SW3

    SFSD016GN3PM1TO-I-LF-010-SW3

    2021-6-23
  • SFXG50UZ502深圳市光华微科技有限公司18138231376

    联系人:刘冬英 公司电话:0755-83203002 手机:18138231376 QQ号:1546282226、微信号:18138231376 公司名称:深圳市光华微科技有限公司 公司地址:深圳市福田区振兴路华匀大厦1栋712室

    2019-5-6
  • SG1503T-精密2.5伏参考...

    描述 这种单片集成电路是一个完全独立的精密电压参考发生器,内部装饰为± 1%的准确度。需要较少比静态电流为2mA,这种装置可以提供10mA的过剩的总负载和线路引起的误差小于0.5%。另外本计画为电压精度,实现了内部修整温度系数的输出电压通常为10 ppm的/° C的因此,这些提法应用关键仪器和D很好的选择到一个转换器系统。该SG1503规定工作在整个军事环境温度范围-55 ° C至125 ° C,而在SG2503是专为-25 ° C至85 ° C和0℃的商业应用SG3503至70℃ 特征 ·输出电压调整到±1% ·输入电压范围

    2013-3-15