| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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CSD13306W 12 V N Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra Low on Resistance • Low Qg and Qgd • Small Footprint 1 × 1.5 mm • Low Profile 0.62 mm Height • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free 2 Applications • Battery Management • Load Switch • Battery Protection 3 Description This 8.8 mΩ, 12 V, N-Channel device is de | TI 德州仪器 |   | ||
CSD13306W 12 V N Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra Low on Resistance • Low Qg and Qgd • Small Footprint 1 × 1.5 mm • Low Profile 0.62 mm Height • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free 2 Applications • Battery Management • Load Switch • Battery Protection 3 Description This 8.8 mΩ, 12 V, N-Channel device is de | TI 德州仪器 | | ||
CSD13306W 12 V N Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra Low on Resistance • Low Qg and Qgd • Small Footprint 1 × 1.5 mm • Low Profile 0.62 mm Height • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free 2 Applications • Battery Management • Load Switch • Battery Protection 3 Description This 8.8 mΩ, 12 V, N-Channel device is de | TI 德州仪器 | | ||
CSD13306W 12 V N Channel NexFET??Power MOSFET 文件：616.7 Kbytes Page：12 Pages | TI 德州仪器 | | ||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州仪器 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
|||
TI |
23+ |
DSBGA6 |
8650 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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TI/德州仪器 |
18+ |
DSBGA6 |
6000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
TI |
25+ |
DSBGA6 |
36000 |
原厂原装,价格优势 |
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TI/支持实单 |
23+ |
DSBGA6 |
6000 |
正规渠道,只有原装! |
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80000 |
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TI |
24+ |
DSBGA6 |
12000 |
现货,来电咨询 |
|||
TI |
24+ |
DSBGA6 |
8500 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
TI/德州仪器 |
24+ |
DSBGA6 |
60000 |
||||
TI/德州仪器 |
24+ |
DSBGA-6 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
SED13306F规格书下载地址
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