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N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FETs

The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode MOSFETs . . . designed for wideband large–signal amplifier and oscillator applications up to 400 MHz range, in either single ended or push–pull configuration. • Guaranteed 28 Volt, 150 MHz Performance MRF136

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POWER TRANSISTORS(8.0A,60-100V,70W)

PLASTIC MEDIUM-POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS 8.0 AMPERE DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60-100 VOLTS 70 WATTS

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文件:108.67 Kbytes Page:8 Pages

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NSC

国半

SEC136产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SEC136

  • 功能描述

    Optoelectronic

更新时间:2026-8-1 23:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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319B-02,Style-1
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