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Common-DrainDualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription The8810usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas1.8V.Thisdeviceissuitableforuseasa loadswitchorinPWMapplications.ItisESDprotected. StandardProduct8810isPb-free(meetsRO

TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co

拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司

TUOFENG

DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET

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HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰电子有限公司

HOTTECH

DualN-Channel25-V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-channelpowerMOSfieldeffecttube

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FUMANFine Made Microelectronics Group Co.,Ltd.

富满微富满微电子集团股份有限公司

FUMAN

ThermallyConductiveAdhesiveTransferTapes

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3M

3M Electronics

3M
更新时间:2025-8-3 8:49:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
23+
BGA
7000
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06+
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RENESAS
2023+
QFN
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
AOS/万代
TSSOP-8
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INFINEON/英飞凌
BGA
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