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N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The 4606 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features ● N-Channel VDS = 30V,ID =6.9A RDS(ON)

TUOFENG

拓锋半导体

High Q, high self-resonant frequency

Special Features • High Q, high self-resonant frequency • High voltage application • Single layer or 3-pi universal wound • Low cost • Varnish coated • Operating temperature: phenolic -55 to +125°C iron & ferrite -55 to +105°C • Current to cause 35°C maximum temperature rise

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

Complementary High Density Trench MOSFET

文件:317.57 Kbytes Page:7 Pages

TUOFENG

拓锋半导体

Binary reduction valve

文件:99.4 Kbytes Page:1 Pages

FESTOFesto Corporation.

费斯托费斯托(中国)有限公司

N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件:1.22669 Mbytes Page:14 Pages

VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-11-4 23:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Bourns(伯恩斯)
24+
SIP-6-2.54mm
42461
免费送样,账期支持,原厂直供,没有中间商赚差价
台产
20+
SOP-8
43000
原装优势主营型号-可开原型号增税票
中性
20+
SOP8
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
ZY
23+
SOP-8
50000
原装正品 支持实单
AOS(万代)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
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SOP8
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全新原装现货,价格优势
中性
24+
SOP8
5000
全新原装正品,现货销售
Bourns(伯恩斯)
24+
标准封装
22663
我们只是原厂的搬运工
Bychip
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SOP8
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SOP8
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