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SE30DT12

Surface-Mount High Voltage Rectifier

FEATURES • Creepage and clearance distance 3.7 mm typical • Very low profile - typical height of 1.7 mm • Ideal for automated placement • Oxide planar chip junction • Low forward voltage drop • AEC-Q101 qualified • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • Material ca

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 凸片)变型 包装:管件 描述:1200V 30A SURFACE-MOUNT HIGH VOL 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

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封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 凸片)变型 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:1200V 30A SURFACE-MOUNT HIGH VOL 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

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更新时间:2025-8-12 18:17:00
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