位置:首页 > IC中文资料 > SDT6031

SDT6031晶体管资料

  • SDT6031别名:SDT6031三极管、SDT6031晶体管、SDT6031晶体三极管

  • SDT6031生产厂家

  • SDT6031制作材料:Si-NPN

  • SDT6031性质:功率开关 (PSW)

  • SDT6031封装形式:特殊封装

  • SDT6031极限工作电压:60V

  • SDT6031最大电流允许值:5A

  • SDT6031最大工作频率:<1MHZ或未知

  • SDT6031引脚数:3

  • SDT6031最大耗散功率:40W

  • SDT6031放大倍数:β=20-60

  • SDT6031图片代号:F-4

  • SDT6031vtest:60

  • SDT6031htest:999900

  • SDT6031atest:5

  • SDT6031wtest:40

  • SDT6031代换 SDT6031用什么型号代替:3DK106D,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES • 30V, 60A, RDS(ON)=10mΩ @VGS=10V. RDS(ON)=15mΩ @VGS=4.5V. • Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). • High power and curent handing capability. • TO-220 & TO-263 package.

CET

华瑞

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES • 30V, 60A, RDS(ON)=10mΩ @VGS=10V. RDS(ON)=15mΩ @VGS=4.5V. • Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). • High power and curent handing capability. • TO-220 & TO-263 package.

CET

华瑞

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ 30V, 55A, RDS(ON) = 11mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 15mΩ @VGS = 4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-251 & TO-252 package.

CET

华瑞

GENERAL PURPOSE MIDGET CLASS MCL

文件:620.75 Kbytes Page:5 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

GENERAL PURPOSE MIDGET CLASS MCL

文件:620.75 Kbytes Page:5 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

更新时间:2026-5-17 16:30:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CET
24+
TO-263
36800
CET
03+
TO-263
21600
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
C
22+
TO-263
6000
十年配单,只做原装
CET/華瑞
23+
TO263
28888
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
CET/華瑞
23+
TO-263
50000
全新原装正品现货,支持订货
CET
23+
TO263
7000
绝对全新原装!100%保质量特价!请放心订购!
CET
23+24
TO-263
59630
主营原装MOS,二三级管,肖特基,功率场效应管
CET
25+
TO-263
27500
原装正品,价格最低!
CET
2023+
SOT263
5800
进口原装,现货热卖
2023+
TO-263
18000
进口原装现货

SDT6031数据表相关新闻