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SDT1058晶体管资料

  • SDT1058别名:SDT1058三极管、SDT1058晶体管、SDT1058晶体三极管

  • SDT1058生产厂家

  • SDT1058制作材料:Si-NPN

  • SDT1058性质:功率开关 (PSW)

  • SDT1058封装形式:直插封装

  • SDT1058极限工作电压:400V

  • SDT1058最大电流允许值:10A

  • SDT1058最大工作频率:<1MHZ或未知

  • SDT1058引脚数:2

  • SDT1058最大耗散功率:100W

  • SDT1058放大倍数:β=10-50

  • SDT1058图片代号:E-44

  • SDT1058vtest:400

  • SDT1058htest:999900

  • SDT1058atest:10

  • SDT1058wtest:100

  • SDT1058代换 SDT1058用什么型号代替:3DK308A,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. Polyfet process features gold metal for greatly extended lifetime

POLYFET

Dual JFET Input Precision High Speed Op Amp?

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更新时间:2026-5-17 13:58:02
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POLYFET
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