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参考价格：￥31.0346

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F1058	PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. Polyfet process features gold metal for greatly extended lifetime	POLYFET	POLYFET

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更新时间：2026-5-15 11:34:00

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2025-3-7
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2022-5-12
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2020-10-28
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2019-6-18
LT1021-精密基准
特征引脚兼容大部分带隙基准源应用，包括01号，02号，LM368,MC1400和MC1404有很大的提高稳定性，噪声和漂移超低漂移：5ppm的/ ° C最大值边坡边输出电压串联或并联操作模式输出汇和源系列模式非常低噪声： >100dB的纹波抑制最小输入/输出差为1V 100％噪音测试美国一个O PPLICATI 个/ D和D/ A转换器精密稳压器
2013-3-20
LT1026-电压转换器
特点生成单输入+和 - 最高为±18V输出只需要4个1MF电容器不电感器 10mA输出电流最小工作到4V 不闭锁 8引脚Minidip 应用线驱动程序运算放大器供应商电池分配器 RS - 232电源 LT®1026是一个开关电容电压倍增器与在一个单芯片的逆变器。能经营从4V至10V的输入，它提供了±7V至±18V的输出。输出电流超过10毫安。两个充电
2012-12-25