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SDM20G60FB

智能功率模块(IPM),600V/20A 三相全桥驱动

SILAN

士兰微

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= 20A@ TC= 25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.155Ω(Max) @VGS= 10V DESCRIPTION · Switching Voltage Regulators

ISC

无锡固电

Fast Recovery Diode

文件:1.06183 Mbytes Page:5 Pages

KSS

京瓷

MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)

文件:242.62 Kbytes Page:10 Pages

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-10-31 23:00:00
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