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SWITCHMODE Schottky Power Rectifier

The SWITCHMODE Power Rectifier employs the Schottky Barrier principle in a large area metal–to–silicon power diode. State–of–the–art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for use as rectifiers in very low–voltage, high–frequency s

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更新时间:2025-12-28 16:51:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
NA/
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原装现货,当天可交货,原型号开票
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24+
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