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SCTH40N120G2V-7

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mΩ typ., 36 A in an H²PAK-7 package

Features • Very high operating junction temperature capability (TJ = 175 °C) • Very fast and robust intrinsic body diode • Extremely low gate charge and input capacitance • Source Kelvin pin for increased efficiency Applications • Switching mode power supply • DC-DC converters • Industri

STMICROELECTRONICS

意法半导体

SCTH40N120G2V-7

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an H2PAK-7 package

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2026-2-8 11:06:00
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