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448IRF	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)=0.60ohm,Id=11A) DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfrominternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •IsolatedCentralMountingHole •FastS	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
AOD448	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
AOD448	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD448usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOD448isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
448	Linearmotion0.2wattcompositionslidecontrol 文件：110.65 Kbytes Page：4 Pages	CTSCTS Electronic Components 西迪斯西迪斯公司
448	SurfaceMountFuses 文件：204.23 Kbytes Page：4 Pages	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特富斯（Littelfuse）力特公司

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更新时间：2024-6-22 22:50:01

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2019-11-29
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2019-11-14
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2019-11-14
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2019-3-5
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2013-1-13
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SA56614-XX是一个CMOS器件产生复位多种微处理器和逻辑系统的信号。准确的复位信号产生瞬间电源中断期间，或当电源电压凹陷不能容忍的水平。设备的复位阈值几个版本可供选择。一图腾柱输出拓扑成立，以提供电流用户的源和汇的能力。SA56614-XX是采用SOT23-5表面贴装封装中可用。特点•12VDC最大工作电压•低工作电压（0.65V）•图腾柱CMOS输出•寻求在复位阈值2.0，2.7，2.8，2.9，3.0，3.1，
2012-11-17

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