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S8550LT1G

通用三极管

STARWING

星荣半导体

HIGH VOLTAGE TRANSISTOR: (PNP)

FEATURES Die Size 0.44*0.44mm Power dissipation PCM : 225mW(Tamb=25℃) Collector current ICM : 0.5A Collector-base voltage V(BR)CBO : 40V

WINGS

永盛电子

PNP General Purpose Transistors

PNP General Purpose Transistors P/b Lead(Pb)-Free

WEITRON

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR 2W OUTPUT AMPLIFIER OF PORTABLE RADIOS IN CLASS B PUSH-PULL OPERATION • Complement to MMPT8050LT1 • Collector-current:Ic=-500mA • High Total Power Dissipation:Pc=225mW

WINNERJOIN

永而佳

General Purpose Transistors PNP Silicon

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LRC

乐山无线电

General Purpose Transistors PNP Silicon

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LRC

乐山无线电

更新时间:2025-9-25 23:01:00
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