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S20C200C	SchottkyBarrierRectifiers 文件：173.57 Kbytes Page：2 Pages	MOSPEC MOSPEC
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DPG20C200PB	SchottkyBarrierRectifier FEATURES ·Multi-layerMetal-SiliconPotentialStructure ·LowLeakageCurrent ·HighCurrentCapability,HighEfficiency ·HighJunctionTemperatureCapability MECHANICALCHARACTERISTICS ·LowVoltageHighFrequencySwitchingPowerSupply ·LowVoltageHighFrequencyInversCircuit ·LowVoltag	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
DPG20C200PN	HiPerFRED2HighPerformanceFastRecoveryDiodeLowLossandSoftRecovery LowLossandSoftRecovery HighPerformanceFastRecoveryDiode CommonCathode Features/Advantages: ●Planarpassivatedchips ●Verylowleakagecurrent ●Veryshortrecoverytime ●Improvedthermalbehaviour ●VerylowIrm-values ●Verysoftrecoverybehaviour ●Avalanchevoltagerate	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
DSA20C200PB	HighPerformanceSchottkyDiodeLowLossandSoftRecoveryCommonCathode 文件：107.45 Kbytes Page：5 Pages	IXYS IXYS Integrated Circuits Division

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更新时间：2024-6-14 19:03:00

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S18016,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
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