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UPD5742T6J-E4-A中文资料

厂家型号

UPD5742T6J-E4-A

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200.56Kbytes

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9

功能描述

MOS ANALOG INTEGRATED CIRCUIT

数据手册

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生产厂商

RENESAS

UPD5742T6J-E4-A数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• Low Noise : NV = −98 dBV TYP. @ VDD = 2 V, Cin = 3 pF, RL = 2.2 kΩ

: NV = −99 dBV TYP. @ VDD = 2 V, Cin = 5 pF, RL = 2.2 kΩ

• High Gain : GV = +9.0 dB TYP. @ VDD = 2 V, Cin = 3 pF, RL = 2.2 kΩ

: GV = +11.0 dB TYP. @ VDD = 2 V, Cin = 5 pF, RL = 2.2 kΩ

• Low Consumption Current : IDD = 370 μA TYP. @ VDD = 2 V, RL = 2.2 kΩ

• Built-in the capacitor for RF noise immunity

• High ESD voltage

• 3-pin thin-type lead-less minimold (1.2 × 1.0 × 0.33 mm)

更新时间:2025-10-6 14:02:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
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