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UPD5741T6J中文资料

厂家型号

UPD5741T6J

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201.1Kbytes

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9

功能描述

MOS ANALOG INTEGRATED CIRCUIT

数据手册

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生产厂商

RENESAS

UPD5741T6J数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• Low Noise : NV = −101 dBV TYP. @ VDD = 2 V, Cin = 3 pF, RL = 2.2 kΩ

: NV = −102 dBV TYP. @ VDD = 2 V, Cin = 5 pF, RL = 2.2 kΩ

• High Gain : GV = +6.5 dB TYP. @ VDD = 2 V, Cin = 3 pF, RL = 2.2 kΩ

: GV = +8.5 dB TYP. @ VDD = 2 V, Cin = 5 pF, RL = 2.2 kΩ

• Low Consumption Current : IDD = 250 μA TYP. @ VDD = 2 V, RL = 2.2 kΩ

• Built-in the capacitor for RF noise immunity

• High ESD voltage

• 3-pin thin-type lead-less minimold (1.2 × 1.0 × 0.33 mm)

更新时间:2025-10-6 8:04:00
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