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UPA2763T1A-E1-AY中文资料
UPA2763T1A-E1-AY数据手册规格书PDF详情
Description
The μ PA2763 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for DC/DC converter and power management applications.
Features
• Low on-state resistance
⎯ RDS(on)1 = 23.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 21 A)
⎯ RDS(on)2 = 28.0 mΩ MAX. (VGS = 8 V, ID = 21 A)
• Low Ciss 2100 pF TYP.
• Built-in gate protection diode
• Thin type surface mount package with heat spreader (8-pin HVSON)
• RoHS Compliant
UPA2763T1A-E1-AY产品属性
- 类型
描述
- 型号
UPA2763T1A-E1-AY
- 功能描述
MOSFET N-CH 100V 42A 8HSON
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
-
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
更新时间：2025-10-4 15:08:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Renesas |
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原装正品，支持实单 |
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Datasheet数据表PDF页码索引
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