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UPA2718AGR中文资料

厂家型号

UPA2718AGR

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9

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

数据手册

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生产厂商

RENESAS

UPA2718AGR数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

The μ PA2718AGR is P-Channel MOS Field Effect

Transistor designed for power management applications of

notebook computers and Lithium-Ion battery protection circuit.

FEATURES

• Low on-state resistance

RDS(on)1 = 9.0 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −6.5 A)

RDS(on)2 = 14.5 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −6.5 A)

• Low input capacitance

Ciss = 2810 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

• Small and surface mount package (Power SOP8)

更新时间:2025-11-28 16:04:00
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