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TP65H150G4LSGBE中文资料

厂家型号

TP65H150G4LSGBE

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880.33Kbytes

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15

功能描述

650V SuperGaN® GaN FET in PQFN (source tab)

数据手册

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生产厂商

RENESAS

TP65H150G4LSGBE数据手册规格书PDF详情

Features

■ Gen IV technology

■ JEDEC-qualified GaN technology

■ Dynamic RDS(on)eff production tested

■ Robust design, defined by

● Transient over-voltage capability

● Operation with E-mode Gate drivers without

need for Zener protection.

■ Very low QRR

■ Reduced crossover loss

■ RoHS compliant and Halogen-free packaging

更新时间:2025-12-6 10:06:00
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