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RJK2006DPJ中文资料

厂家型号

RJK2006DPJ

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2

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

数据手册

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生产厂商

ISC

RJK2006DPJ数据手册规格书PDF详情

FEATURES

·Drain Current -ID= 40A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS= 200V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 59mΩ(Max)@VGS= 10V

DESCRIPTION

·DC-to-DC Converter

·General Industrial Applications

·Power Motor Control

RJK2006DPJ产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJK2006DPJ

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

更新时间:2026-2-5 13:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBsemi
23+
TO220
50000
全新原装正品现货,支持订货
VBSEMI/台湾微碧
23+
TO220
50000
全新原装正品现货,支持订货
R
22+
TO-220
6000
十年配单,只做原装
VBsemi
21+
TO220
10020
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
R
25+
TO-TO-220
35400
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
VBSEMI/台湾微碧
24+
TO220
60000
全新原装现货
R
24+
TO-220
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
VBSEMI
16+
TO220
10070
RENEAS
06+
2255
全新原装进口自己库存优势
RENEAS
23+
20000
全新原装假一赔十