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芯片资料

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厂家型号	RJK03L3DNS-00-J5
文件大小	130.15Kbytes
页面数量	7页
功能描述	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	RENESAS

Features

• High speed switching

• Capable of 4.5 V gate drive

• Low drive current

• High density mounting

• Low on-resistance

RDS(on) = 5.3 mΩ typ. (at VGS = 10 V)

• Pb-free

• Halogen-free

RJK03L3DNS-00-J5供应商...

更新时间：2025-11-27 8:02:00

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