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RJH60F6DPK中文资料

厂家型号

RJH60F6DPK

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7

功能描述

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

数据手册

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生产厂商

RENESAS

RJH60F6DPK数据手册规格书PDF详情

Features

Low collector to emitter saturation voltage

VCE(sat)= 1.35 V typ. (at IC= 45 A, VGE= 15V, Ta = 25°C)

Built in fast recovery diode in one package

Trench gate and thin wafer technology

High speed switching

tf= 95 ns typ. (at IC= 30 A, Resistive Load, VCC= 300 V, VGE= 15 V, Rg = 5Ω , Ta = 25°C)

RJH60F6DPK产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJH60F6DPK

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

更新时间:2025-12-7 14:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
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只做正品原装现货
Renesas(瑞萨)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞

RJH60F6DPK-00#T0 价格

参考价格:¥15.7071

型号:RJH60F6DPK-00#T0 品牌:Renesas 备注:这里有RJH60F6DPK多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,RJH60F6DPK批发/采购报价,RJH60F6DPK行情走势销售排排榜,RJH60F6DPK报价。