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厂家型号	NESG7030M04-T2
文件大小	154.71Kbytes
页面数量	11页
功能描述	NPN Silicon Germanium Carbon RF Transistor
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	RENESAS

FEATURES

• The device is an ideal choice for low noise, high gain amplification.

NF = 0.75 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 5.8 GHz

Ga = 14 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 5.8 GHz

• PO (1 dB) = 4.5 dBm TYP. @ VCE = 2 V, IC (set) = 10 mA, f = 2 GHz

• Maximum stable power gain: MSG =16.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 15 mA, f = 5.8 GHz

• SiGe: C HBT technology

• This product is improvement of ESD.

• Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M04 PKG)

NESG7030M04-T2供应商...

更新时间：2025-12-1 15:33:00

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