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NESG210719-T1-A中文资料

厂家型号

NESG210719-T1-A

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10

功能描述

NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

射频硅锗晶体管 NPN Amp/Oscillator

数据手册

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生产厂商

RENESAS

NESG210719-T1-A数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• The NESG210719 is an ideal choice for OSC, low noise, high-gain amplification

• High breakdown voltage technology for SiGe Tr.

• 3-pin ultra super minimold (19, 1608 PKG)

NESG210719-T1-A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NESG210719-T1-A

  • 功能描述

    射频硅锗晶体管 NPN Amp/Oscillator

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies 发射极 - 基极电压

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-10-13 15:16:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
24+
SOT-523
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
RENESAS/瑞萨
23+
SOT-523
50000
原装正品 支持实单
RENESAS/瑞萨
23+
SOT-23
27000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
RENESAS/瑞萨
23+
SOT-23
89630
当天发货全新原装现货
CEL
2019+PB
SOT-523
15000
原装正品 可含税交易
CEL
19+
SOT-523
200000
CEL
20+
SOT-523
36800
原装优势主营型号-可开原型号增税票
CEL
24+
SOT-523
15000
原装现货假一赔十
CEL
SOT-523
15000
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
CEL
2025+
SOT-523
7695
全新原厂原装产品、公司现货销售