位置:NESG210719-A > NESG210719-A详情

NESG210719-A中文资料

厂家型号

NESG210719-A

文件大小

124.41Kbytes

页面数量

10

功能描述

NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

射频硅锗晶体管 NPN Amp/Oscillator

数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

生产厂商

RENESAS

NESG210719-A数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• The NESG210719 is an ideal choice for OSC, low noise, high-gain amplification

• High breakdown voltage technology for SiGe Tr.

• 3-pin ultra super minimold (19, 1608 PKG)

NESG210719-A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NESG210719-A

  • 功能描述

    射频硅锗晶体管 NPN Amp/Oscillator

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies 发射极 - 基极电压

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-10-14 15:16:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
24+
SOT-523
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
RENESAS/瑞萨
23+
SOT-23
27000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
RENESAS/瑞萨
23+
SOT-23
89630
当天发货全新原装现货
RENESAS/瑞萨
23+
SOT-523
50000
原装正品 支持实单
CEL
24+
原厂原装
5000
原装正品
NEC
22+
SOT23-3
3000
原装正品,支持实单
CEL
16+
SOT-523
15000
鍏ㄦ柊鍘熻鐜拌揣/浠锋牸鍙皥!
CEL
20+
SOT-523
36800
原装优势主营型号-可开原型号增税票
CEL
24+
SOT-523
15000
原装现货假一赔十
CEL
SOT-523
15000
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货