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厂家型号	NESG2101M05-T1-A
文件大小	172.81Kbytes
页面数量	15页
功能描述	NPN SiGe RF Transistor for Medium Output Power Amplification 125 mW 射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	RENESAS

NPN SiGe RF Transistor for Medium Output Power Amplification (125 mW)

Flat-Lead 4-Pin Thin-Type Super Minimold (M05)

FEATURES

• The device is an ideal choice for medium output power, high-gain amplification and low distortion, low noise, high-gain amplification

⎯ PO (1 dB) = 21 dBm TYP. @ VCE = 3.6 V, ICq = 10 mA, f = 2 GHz

⎯ NF = 0.6 dB TYP., Ga = 19.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz

• Maximum stable power gain: MSG = 17.0 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 50 mA, f = 2 GHz

• High breakdown voltage technology for SiGe Tr. adopted: VCEO (absolute maximum ratings) = 5.0 V

• Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M05) package

NESG2101M05-T1-A供应商...

更新时间：2025-10-14 23:00:00

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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