位置：NESG2101M05-T1-A > NESG2101M05-T1-A详情
NESG2101M05-T1-A中文资料
NESG2101M05-T1-A数据手册规格书PDF详情
NPN SiGe RF Transistor for Medium Output Power Amplification (125 mW)
Flat-Lead 4-Pin Thin-Type Super Minimold (M05)
FEATURES
• The device is an ideal choice for medium output power, high-gain amplification and low distortion, low noise, high-gain amplification
⎯ PO (1 dB) = 21 dBm TYP. @ VCE = 3.6 V, ICq = 10 mA, f = 2 GHz
⎯ NF = 0.6 dB TYP., Ga = 19.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz
• Maximum stable power gain: MSG = 17.0 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 50 mA, f = 2 GHz
• High breakdown voltage technology for SiGe Tr. adopted: VCEO (absolute maximum ratings) = 5.0 V
• Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M05) package
NESG2101M05-T1-A产品属性
- 类型
描述
- 型号
NESG2101M05-T1-A
- 功能描述
射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies 发射极 - 基极电压
- 封装
Reel
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Renesas(瑞萨) |
24+ |
标准封装 |
9048 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
RENESAS |
24+ |
SOT343 |
36000 |
一级代理/全新现货/长期供应! |
|||
RENESAS |
23+ |
SOT-343 |
15000 |
只做进口原装假一罚百 |
|||
RENESAS |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
|||
Renesas(瑞萨) |
23+ |
原厂封装 |
32078 |
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业 |
|||
RENESAS |
12+ |
SOT343 |
3000 |
||||
RENESAS |
21+ |
SOT343 |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
|||
RENESAS |
23+ |
SOT-343 |
253223 |
原装正品现货 |
|||
RENESAS |
20+ |
SOT343 |
45000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
RENESAS |
20+ |
SOT343 |
49000 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
NESG2101M05-T1-A 资料下载更多...
NESG2101M05-T1-A 芯片相关型号
- 227LMX450M2EE
- 228LBA063M2CC
- 277LBB350M2CF
- 277LBB450M2DF
- 2SC5508-T2
- 397LMB250M2DC
- 466130
- 474PPS122KD20
- 477LBB250M2EC
- 477LMB400M2EF
- B72540E0400K062
- CT1812K25G
- DBCDGMMSR15G_11
- DBCDPH15BLK
- DBCDPH15BLU
- DBCDPH37YEL
- EVAL-CONTROLBRD2Z
- H11AA1SR2VM
- INA219BIDCNR
- LL-304BGC2L-G3-1B
- MAX1214N
- MHQ0603P1N1HT
- MHQ1005P11NHT
- NESG210719-A
- P6KE7.5A
- P6SMB16A
- PFD3215-103MEB
- TPS74801DRCT
- TPS76915QDBVRG4Q1
- TPS76918QDBVRQ1
RENESAS相关电路图
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
Renesas Technology Corp 瑞萨科技有限公司
中文资料: 113966条
瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.）是一家全球领先的半导体解决方案供应商，总部位于日本东京。公司成立于2002年，由原日立半导体和三菱电机半导体合并而成，专注于提供高性能和高效能的微控制器、模拟和混合信号IC、功率半导体以及系统集成解决方案，广泛应用于汽车、工业控制、信息通信、消费电子等多个领域。瑞萨科技的产品组合涵盖微控制器（MCUs）、模拟和混合信号IC、功率半导体以及汽车解决方案等。公司在汽车电子领域具有强大的技术实力，提供车载MCU、传感器和网络解决方案，支持智能汽车的发展。瑞萨在全球设有多个研发中心和分支机构，产品及解决方案销售至欧美、亚洲等地区，致力于为
