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NESG2101M05-A中文资料
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NPN SiGe RF Transistor for Medium Output Power Amplification (125 mW)
Flat-Lead 4-Pin Thin-Type Super Minimold (M05)
FEATURES
• The device is an ideal choice for medium output power, high-gain amplification and low distortion, low noise, high-gain amplification
⎯ PO (1 dB) = 21 dBm TYP. @ VCE = 3.6 V, ICq = 10 mA, f = 2 GHz
⎯ NF = 0.6 dB TYP., Ga = 19.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz
• Maximum stable power gain: MSG = 17.0 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 50 mA, f = 2 GHz
• High breakdown voltage technology for SiGe Tr. adopted: VCEO (absolute maximum ratings) = 5.0 V
• Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M05) package
NESG2101M05-A产品属性
- 类型
描述
- 型号
NESG2101M05-A
- 功能描述
射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies 发射极 - 基极电压
- 封装
Reel
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
21+ |
SOT-23 |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
|||
RENESAS |
2023+ |
SOT-343 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
|||
RENESAS |
24+ |
SOT-343 |
10000 |
公司现货 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
SOT343 |
30000 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
|||
RENESAS ROHS |
23+ |
SOT-23 |
8290 |
原厂原装正品 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
2447 |
SOT343 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
SOT343 |
9000 |
原装正品 |
|||
NEC |
24+ |
M05 |
562 |
||||
CEL |
24+ |
原厂原装 |
5000 |
原装正品 |
|||
NEC |
23+ |
原厂封装 |
13528 |
振宏微原装正品,假一罚百 |
NESG2101M05-A 价格
参考价格：￥5.1011
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Renesas Technology Corp 瑞萨科技有限公司
中文资料: 113510条
瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.）是一家全球领先的半导体解决方案供应商，总部位于日本东京。公司成立于2002年，由原日立半导体和三菱电机半导体合并而成，专注于提供高性能和高效能的微控制器、模拟和混合信号IC、功率半导体以及系统集成解决方案，广泛应用于汽车、工业控制、信息通信、消费电子等多个领域。瑞萨科技的产品组合涵盖微控制器（MCUs）、模拟和混合信号IC、功率半导体以及汽车解决方案等。公司在汽车电子领域具有强大的技术实力，提供车载MCU、传感器和网络解决方案，支持智能汽车的发展。瑞萨在全球设有多个研发中心和分支机构，产品及解决方案销售至欧美、亚洲等地区，致力于为
