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NESG2031M16-A中文资料
NESG2031M16-A数据手册规格书PDF详情
NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR
LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG)
FEATURES
• The device is an ideal choice for low noise, high-gain amplification
NF = 0.8 dB TYP., Ga = 17.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz
NF = 1.3 dB TYP., Ga = 10.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 5.2 GHz
• Maximum stable power gain: MSG = 21.5 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz
• High breakdown voltage technology for SiGe Tr. adopted: VCEO (absolute maximum ratings) = 5.0 V
• 6-pin lead-less minimold (M16, 1208 PKG)
NESG2031M16-A产品属性
- 类型
描述
- 型号
NESG2031M16-A
- 功能描述
射频硅锗晶体管 NPN High Frequency
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies 发射极 - 基极电压
- 封装
Reel
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
19+ |
SOT343 |
87069 |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂； |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
SOT-23 |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
SOT-563 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
SOT-563 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
|||
CEL |
24+ |
原厂原装 |
5000 |
原装正品 |
|||
NEC |
17+ |
SOT343 |
6200 |
100%原装正品现货 |
|||
NEC |
24+ |
SOT343 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
NEC |
23+ |
SOT343 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
NEC |
21+ |
SOT-343 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
NEC |
SOT343 |
22+ |
6000 |
十年配单,只做原装 |
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Renesas Technology Corp 瑞萨科技有限公司
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瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.）是一家全球领先的半导体解决方案供应商，总部位于日本东京。公司成立于2002年，由原日立半导体和三菱电机半导体合并而成，专注于提供高性能和高效能的微控制器、模拟和混合信号IC、功率半导体以及系统集成解决方案，广泛应用于汽车、工业控制、信息通信、消费电子等多个领域。瑞萨科技的产品组合涵盖微控制器（MCUs）、模拟和混合信号IC、功率半导体以及汽车解决方案等。公司在汽车电子领域具有强大的技术实力，提供车载MCU、传感器和网络解决方案，支持智能汽车的发展。瑞萨在全球设有多个研发中心和分支机构，产品及解决方案销售至欧美、亚洲等地区，致力于为
