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厂家型号	NESG2021M05-T1-A
文件大小	159.35Kbytes
页面数量	14页
功能描述	NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification 射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	RENESAS

FEATURES

• This device is an ideal choice for low noise, high-gain at low current amplifications.

⎯ NF = 0.9 dB TYP., Ga = 18.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz

⎯ NF = 1.3 dB TYP., Ga = 10.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 5.2 GHz

• Maximum stable power gain: MSG = 22.5 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz

• High breakdown voltage technology for SiGe Tr. adopted: VCEO (absolute maximum ratings) = 5.0 V

• Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M05) package

NESG2021M05-T1-A供应商...

更新时间：2026-3-6 17:14:00

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