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NE5550779A-A中文资料

厂家型号

NE5550779A-A

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功能描述

Silicon Power LDMOS FET

SILICON POWER LDMOS FET ROHS COMPLIANT - Product that comes on tape, but is not reeled

数据手册

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生产厂商

RENESAS

NE5550779A-A数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• High Output Power : Pout = 38.5 dBm TYP. (VDS = 7.5 V, IDset= 140 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm)

• High power added efficiency : ηadd = 66 TYP. (VDS= 7.5 V, IDset= 140 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm)

• High Linear gain : GL = 22.0 dB TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 140 mA, f = 460 MHz, Pin = 10 dBm)

• High ESD tolerance

• Suitable for VHF to UHF-BAND Class-AB power amplifier.

NE5550779A-A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NE5550779A-A

  • 制造商

    California Eastern Laboratories(CEL)

  • 功能描述

    SILICON POWER LDMOS FET ROHS COMPLIANT - Product that comes on tape, but is not reeled

  • 制造商

    California Eastern Laboratories(CEL)

  • 功能描述

    IC FET LDMOS 30V 0.6A 79A-PKG

更新时间:2025-10-5 17:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Renesas
2年内
N/A
16000
英博尔原装优质现货订货渠道商
RENESAS
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RENESAS
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原装