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NE5550234-T1中文资料

厂家型号

NE5550234-T1

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16

功能描述

Silicon Power MOS FET

数据手册

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生产厂商

RENESAS

NE5550234-T1数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• High Output Power : Pout = 33.0 dBm TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 40 mA, f = 460 MHz, Pin = 15 dBm)

• High power added efficiency : ηadd = 68 TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 40 mA, f = 460 MHz, Pin = 15 dBm)

• High Linear gain : GL = 23.5 dB TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 40 mA, f = 460 MHz, Pin = 0 dBm)

• High ESD tolerance

• Suitable for VHF to UHF-BAND Class-AB power amplifier.

APPLICATIONS

• 150 MHz Band Radio System

• 460 MHz Band Radio System

• 900 MHz Band Radio System

NE5550234-T1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NE5550234-T1

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon Power MOS FET

更新时间:2025-10-7 9:08:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
RENESAS/瑞萨
24+
SOT-89
60000
Renesas
2年内
N/A
16000
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RENESAS(瑞萨)/IDT
24+
7350
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RENESAS/瑞萨
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RENESAS(瑞萨)/IDT
20+
-
5000
SOT-89
2025+
NEC/RENES
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NEC
2447
SOT-89
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NEC
21+
SOT-89
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NEC/RENESAS
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