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NE3503M04-T2中文资料

厂家型号

NE3503M04-T2

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206.76Kbytes

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11

功能描述

C TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AND HIGH-GAIN AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET

数据手册

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生产厂商

RENESAS

NE3503M04-T2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NE3503M04-T2

  • 功能描述

    射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET

  • RoHS

  • 制造商

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型

    pHEMT

  • 频率

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益

    10 dB

  • 噪声系数

    正向跨导

  • gFS(最大值/最小值)

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压

    - 8 V

  • 漏极连续电流

    3 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 功率耗散

    10 W

更新时间:2025-10-12 14:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
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RENESAS/瑞萨原装特价NE3503M04-T2-A即刻询购立享优惠#长期有货
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