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HAF2011L中文资料

厂家型号

HAF2011L

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功能描述

Silicon N Channel MOS FET Series Power Switching

数据手册

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生产厂商

RENESAS

HAF2011L数据手册规格书PDF详情

Description

This FET has the over temperature shut-down capability sensing to the junction temperature.

This FET has the built-in over temperature shut-down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut-down the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumption, over current etc.

Features

• Logic level operation (4 to 6 V Gate drive)

• High endurance capability against to the short circuit

• Built-in the over temperature shut-down circuit

• Latch type shut-down operation (Need 0 voltage recovery)

HAF2011L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    HAF2011L

  • 制造商

    HITACHI

  • 制造商全称

    Hitachi Semiconductor

  • 功能描述

    Silicon N Channel MOS FET Series Power Switching

更新时间:2025-10-17 14:09:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
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全新原厂原装产品、公司现货销售
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2023+
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正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。