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BB503MCS-TL-E中文资料

厂家型号

BB503MCS-TL-E

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11

功能描述

Built in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier

数据手册

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生产厂商

RENESAS

BB503MCS-TL-E数据手册规格书PDF详情

Features

• Built in Biasing Circuit; To reduce using parts cost & PC board space.

• Low noise; NF = 1.8 dB typ. at f = 900 MHz

• High gain; PG = 22 dB typ. at f = 900 MHz

• Withstanding to ESD; Built in ESD absorbing diode. Withstand up to 200V at C=200pF, Rs=0 conditions.

• Provide mini mold packages; MPAK-4(SOT-143Rmod)

BB503MCS-TL-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BB503MCS-TL-E

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Built in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier

更新时间:2025-10-14 9:00:00
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