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BB503C中文资料

厂家型号

BB503C

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11

功能描述

Built in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier

数据手册

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生产厂商

RENESAS

BB503C数据手册规格书PDF详情

Features

• Built in Biasing Circuit; To reduce using parts cost & PC board space.

• Low noise; NF = 1.8 dB typ. at f = 900 MHz

• High gain; PG = 22 dB typ. at f = 900 MHz

• Withstanding to ESD; Built in ESD absorbing diode. Withstand up to 200V at C=200pF, Rs=0 conditions.

• Provide mini mold packages; CMPAK-4(SOT-343mod)

BB503C产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BB503C

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Built in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier

更新时间:2025-10-14 8:31:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
2016+
SOT343
9000
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renesas
24+
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25+
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