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2SK4212-ZK-E2-AY中文资料

厂家型号

2SK4212-ZK-E2-AY

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9

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

数据手册

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生产厂商

RENESAS

2SK4212-ZK-E2-AY数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

The 2SK4212 is N-channel MOS FET device that features a low on-state resistance and excellent switching characteristics,

and designed for low voltage high current applications such as DC/DC converter with synchronous rectifier.

FEATURES

• Low on-state resistance

RDS(on)1 = 7.8 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 30 A)

RDS(on)2 = 14 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 20 A)

• Low total gate charge

QG = 27 nC TYP. (VDD = 15 V, VGS = 10 V, ID = 30 A)

• 4.5 V drive available

• Avalanche capability ratings

更新时间:2025-10-8 10:40:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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