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2SJ600-Z中文资料

厂家型号

2SJ600-Z

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246.43Kbytes

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10

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

数据手册

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生产厂商

RENESAS

2SJ600-Z数据手册规格书PDF详情

SWITCHING

P-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

The 2SJ600 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed

for solenoid, motor and lamp driver.

FEATURES

• Low on-state resistance:

RDS(on)1 = 50 mΩ MAX. (VGS = –10 V, ID = –13 A)

RDS(on)2 = 79 mΩ MAX. (VGS = –4.0 V, ID = –13 A)

• Low input capacitance:

Ciss = 1900 pF TYP. (VDS = –10 V, VGS = 0 V)

• Built-in gate protection diode

• TO-251/TO-252 package

2SJ600-Z产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SJ600-Z

  • 制造商

    NEC

  • 制造商全称

    NEC

  • 功能描述

    SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

更新时间:2025-10-5 17:06:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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