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RM42P30DN中文资料

厂家型号

RM42P30DN

丝印代码

B3105

封装外壳

DFN3x3EP

文件大小

396.09Kbytes

页面数量

9

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

生产厂商

RECTRON

RM42P30DN数据手册规格书PDF详情

General Features

VDS =-30V,ID =-42A

RDS(ON) < 14mΩ @ VGS=-10V

RDS(ON) < 22mΩ @ VGS=-4.5V

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized avalanche voltage and current

Good stability and uniformity with high EAS

Excellent package for good heat dissipation

Special process technology for high ESD capability

更新时间:2026-7-31 11:06:00
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