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RM35N30DN中文资料

厂家型号

RM35N30DN

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7

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

数据手册

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生产厂商

RECTRON

RM35N30DN数据手册规格书PDF详情

General Features

VDS =30V,ID =35A

RDS(ON) < 5.5mΩ @ VGS=10V

RDS(ON) < 9.5mΩ @ VGS=4.5V

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized avalanche voltage and current

Good stability and uniformity with high EAS

Excellent package for good heat dissipation

Special process technology for high ESD capability

更新时间:2025-10-10 11:06:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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