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RM3010S6中文资料

厂家型号

RM3010S6

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576.03Kbytes

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7

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

数据手册

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生产厂商

RECTRON

RM3010S6数据手册规格书PDF详情

General Features

VDS =30V,ID =10A

RDS(ON) < 12m @ VGS=10V

RDS(ON) <16m @ VGS=4.5V

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized Avalanche voltage and current

更新时间:2025-10-15 11:06:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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